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Halbleitertechnik: Röntgenblick für weniger Ausschuss

Mit einem zerstörungsfreien bildgebenden Verfahren gelingt es einem Team am KIT, dreidimensionale Blicke in das Innere von Siliziumkristallen zu werfen.
Grafische Darstellung von Defekten in Siliziumkristallen
Kleine Oberflächenfehler können bei der Verarbeitung von Halbleiter-Wafern zu weitläufige Defekten im Inneren und Stufen in großen Oberflächenarealen führen. (Bild: D.Hänschke/KIT)
Grafische Darstellung von Defekten in Siliziumkristallen
Kleine Oberflächenfehler können bei der Verarbeitung von Halbleiter-Wafern zu weitläufige Defekten im Inneren und Stufen in großen Oberflächenarealen führen. (Bild: D.Hänschke/KIT)

Am Anfang der Chip-Produktion stehen so genannten Wafer. Diese kreisrunden oder quadratischen und etwa ein Millimeter dicken Scheiben werden meist aus Silizium hergestellt und müssen strukturell fehlerfrei beschaffen sein. Schon wenige Fehler in der Gitterstruktur (Versetzungen) innerhalb des Wafers können später zu fehlerhaften Computer-Chips und somit zu unerwünschtem Ausschuss in der Produktion führen.

Ein Team am „Institut für Photonenforschung und Synchrotronstrahlung“ (IPS) des KIT gelang es nun, mit einem einzigartigen Verfahren in das Innere von Kristallen zu blicken und solche Versetzungen dreidimensional sichtbar zu machen. Wie die Wissenschaftler nun in der Fachzeitschrift Physical Review Letters berichten, bedienen sie sich dabei einer einzigartigen Kombination zweier Röntgenmethoden, verbunden mit einer speziellen Form der Lichtmikroskopie.

Zum Artikel in Physical Review Letters

Vollständiger Text: Presseinformation 168/2017

bsb, 21.11.2017